参数资料
型号: SGH23N60UFD
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: Ultra-Fast IGBT
中文描述: 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: TO-3P, 3 PIN
文件页数: 6/7页
文件大小: 627K
代理商: SGH23N60UFD
2000 Fairchild Semiconductor International
SGH23N60UFD Rev. A
S
G
H23N60UFD
100
1000
0
20
40
60
80
100
V
R = 200V
I
F = 12A
T
C =
25℃
T
C = 100
Re
v
e
rc
e
Re
cover
y
T
im
e
,t
rr
[n
s]
di/dt [A/us]
100
1000
0
100
200
300
400
500
600
V
R = 200V
I
F = 12A
T
C =
25℃
T
C = 100
S
tor
e
d
R
e
co
v
e
ry
C
har
ge,
Q
rr
[nC
]
di/dt [A/us]
100
1000
1
10
100
V
R = 200V
I
F = 12A
T
C =
25℃
T
C = 100
Re
v
e
rs
e
Rec
o
ver
y
Cu
rr
en
t,
I
r
[A
]
di/dt [A/us]
1
10
100
01
23
T
C =
25℃
T
C = 100
Forward Voltage Drop, V
FM [V]
F
o
rw
ar
d
Cu
rr
en
t,
I
F
[A
]
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
相关PDF资料
PDF描述
SGLNCA-18.432 Crystal Oscillator
SGLNCA-19.440 Crystal Oscillator
SGLNCA-19.985 Crystal Oscillator
SGLNCA-2.000 Crystal Oscillator
SGLNCA-2.048 Crystal Oscillator
相关代理商/技术参数
参数描述
SGH23N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGH23N60UFTU 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGH25N120 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGH25N120RUF 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGH25N120RUFTU 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube