- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录507 > SGL160N60UFDTU (Fairchild Semiconductor)IGBT ULTRA FAST 600V 160A TO264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SGL160N60UFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT ULTRA FAST 600V 160A TO264 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | FGL, SGL TO-264 Pkg |
| 标准包装： | 25 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，80A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 160A |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
T C = 25 ℃
100
V R = 200V
100
T C = 100 ℃
I F = 25A
T C = 25 ℃
T C = 100 ℃
10
10
1
1
0
1
2
3
100
1000
Forward Voltage Drop, V F [V]
Fig 18. Forward Characteristics
di/dt [A/us]
Fig 19. Reverse Recovery Current
1000
800
600
400
200
0
V R = 200V
I F = 25A
T C = 25 ℃
T C = 100 ℃
120
100
80
60
40
20
V R = 200V
I F = 25A
T C = 25 ℃
T C = 100 ℃
100
1000
100
1000
di/dt [A/us]
Fig 20. Stored Charge
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
di/dt [A/us]
Fig 21. Reverse Recovery Time
SGL160N60UFD Rev. B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGL50N60RUFDTU | IGBT 80A 600V W/DIODE TO-264 |
| SGP10N60RUFDTU | IGBT W/DIODE 600V 10A TO-220 |
| SGP23N60UFDTU | IGBT W/DIODE 600V TO-220 |
| SGP23N60UFTU | IGBT W/DIODE 600V TO-220-3 |
| SGPD.12A | EVAL KIT GPS SGP.12A ANTENNA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGL160N60UFDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT ULTRAFAST 600V 160A TO-264 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT, ULTRAFAST, 600V, 160A, TO-264 |
| SGL160N60UFDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR TYPE:IGBT |
| SGL160N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/80A/2.0V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGL-17 | 制造商:Pma ag 功能描述:Bulk |
| SGL1-90 | 制造商:SEMIKRON 制造商全称:Semikron International 功能描述:Schottky barrier rectifiers diodes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。