参数资料
型号: SGP23N60UFDTU
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: IGBT W/DIODE 600V TO-220
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.6V @ 15V,12A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 23A
功率 - 最大: 100W
输入类型: 标准
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
100
T C = 25 ℃
T C = 100 ℃
100
V R = 200V
I F = 12A
T C = 25 ℃
T C = 100 ℃
10
10
1
1
0
1
2
3
100
1000
Forward Voltage Drop, V FM [V]
Fig 18. Forward Characteristics
600
V R = 200V
di/dt [A/us]
Fig 19. Reverse Recovery Current
100
V R = 200V
500
I F = 12A
T C = 25 ℃
T C = 100 ℃
80
I F = 12A
T C = 25 ℃
T C = 100 ℃
400
60
300
40
200
100
0
20
0
100
1000
100
1000
di/dt [A/us]
Fig 20. Stored Charge
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
di/dt [A/us]
Fig 21. Reverse Recovery Time
SGP23N60UFD Rev. A1
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PDF描述
SGP23N60UFTU IGBT W/DIODE 600V TO-220-3
SGPD.12A EVAL KIT GPS SGP.12A ANTENNA
SGPD.15A EVAL KIT GPS SGP.15A ANTENNA
SGPD.18C EVALUATION KIT FOR SGP.18C
SGPD.25C EVAL KIT FOR SGP.25C
相关代理商/技术参数
参数描述
SGP23N60UFTU 功能描述:IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGP2-500-BS 制造商:Banner Engineering 功能描述:SGP2-500-BS PAIR 2 BM GRD W/PIGTAILS 500mm EZ SCREEN
SGP2-500-BS20 制造商:Banner Engineering 功能描述:SGP2-500-BS20 PR 2 BM GRD W/PIGTAILS 500mm EZ SCREEN
SGP2-584 制造商:Banner Engineering 功能描述:SAFETY, SGP2-584 PAIR 2 BM GRD 584MM EZ SCREEN
SGP2-584Q88E 制造商:Banner Engineering 功能描述:LIGHT SCREEN; SAFETY; EZ-SCREEN; 2 PNP, OSSD; 8 PIN EURO QD; RANGE .8-20MM