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参数资料
| 型号： | SH8K32TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 60V 4.5A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP（5.0x6.0） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8K32TB1DKR |
4V Drive Nch+Nch MOSFET
SH8K32
? Structure
Silicon N-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
SOP8
? Features
1) Built-in G-S Protection Diode.
2) Small surface Mount Package (SOP8).
? Application
Switching
Each lead has same dimensions
? Packaging specifications
? Inner circuit
Package
Taping
(8)
(7)
(6)
(5)
(8) (7) (6) (5)
Type
SH8K32
Code
Basic ordering unit (pieces)
TB
2500
? 2
? 1
? 2
? 1
(1) (2) (3) (4)
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Source
(4) Tr2 Gate
(1)
(2)
(3)
(4)
(5) Tr2 Drain
(6) Tr2 Drain
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(7) Tr1 Drain
(8) Tr1 Drain
? A protection diode is included between the gate and
the source terminals to protect the diode against static
electricity when the product is in use. Use the protection
? Absolute maximum ratings (Ta=25 ? C)
<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2.>
circuit when the fixed voltages are exceeded.
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
60
± 20
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
P D
? 1
? 1
? 2
± 4.5
± 18
1.0
18
2.0
A
A
A
A
W/TOTAL
Channel temperature
Range of storage temperature
Tch
Tstg
150
? 55 to + 150
° C
° C
? 1 Pw 10 μ s, Duty cycle 1%
? 2 Mounted on a ceramic board.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.12 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8M41TB1 | MOSFET N/P-CH 80V SOP8 |
| SH8M70TB1 | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
| SI-300CC | CONTROLLER FOR VC-04 CAMERA |
| SI1010DK | DEVELOPMENT KIT SI101X |
| SI1021R-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SH8K3TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8K4 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive NchNch MOSFET |
| SH8K4_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive NchNch MOSFET |
| SH8K4TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8K5 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Nch MOSFET |
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