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参数资料
| 型号： | SH8K32TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 60V 4.5A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP（5.0x6.0） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8K32TB1DKR |
SH8K32
? Electrical characteristic curves
Data Sheet
100
V DS = 10V
1000
Ta = 25 ° C
1000
V GS = 10V
10
1
0.1
Ta=125°C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta= ?25°C
Pulsed
V GS =4.0V
V GS =4.5V
V GS =10V
Pulsed
Ta=125°C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta= ?25°C
Pulsed
0.01
0.001
0.0001
100
100
0.00001
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.2 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current( Ι )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.3 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current( ΙΙ )
1000
V GS = 4.5V
1000
V GS = 4V
10
V GS = 0V
Ta=125°C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta= ?25°C
Pulsed
Ta=125°C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta= ?25°C
Pulsed
1
Ta=125°C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta= ?25°C
Pulsed
100
100
0.1
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0
0.5
1.0
1.5
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.4 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current( ΙΙΙ )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current( IV )
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
I D = 4.5A
R G = 10 Ω
300
200
I D = 4.5A
Ta = 25 ° C
Pulsed
10000
1000
t f
Ta = 25 ° C
V DD = 30V
V GS = 10V
R G = 10 Ω
Pulsed
10
Ta = 25 ° C
9 V DD = 30V
8
7 Pulsed
I D =2.25A
100
t d (off)
6
5
4
100
10
t d (on)
3
2
t r
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
0.01
0.1
1
10
0
0
2
4
6
8
10
12
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.8 Switching Characteristics
3/4
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
2009.12 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8M41TB1 | MOSFET N/P-CH 80V SOP8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SH8K3TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8K4 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive NchNch MOSFET |
| SH8K4_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive NchNch MOSFET |
| SH8K4TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8K5 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Nch MOSFET |
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