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参数资料
| 型号： | SH8M70TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A，2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.63 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8M70TB1DKR |
10V Drive Nch+Pch MOSFET
SH8M70
? Structure
Silicon N-channel / P-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
SOP8
? Features
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (SOP8).
? Application
Power switching, DC / DC converter.
Each lead has same dimensions
? Packaging specifications
? Inner circuit
Package
Taping
(8)
(7)
(6)
(5)
(8) (7) (6) (5)
Type
SH8M70
Code
Basic ordering unit (pieces)
TB
2500
? 2
? 1
? 2
? 1
(1) (2) (3) (4)
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Source
(4) Tr2 Gate
(1)
(2)
(3)
(4)
(5) Tr2 Drain
(6) Tr2 Drain
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(7) Tr1 Drain
(8) Tr1 Drain
? A protection diode is included between the gate and
the source terminals to protect the diode against static
electricity when the product is in use. Use the protection
circuit when the fixed voltages are exceeded.
? Absolute maximum ratings (Ta=25 ? C)
Parameter
Symbol
Limits
N-ch P-ch
Unit
Drain-source voltage
Gate-source voltage
V DSS
V GSS
250
30
? 250
? 20
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 3.0
± 12
1.0
12
± 2.5
± 10
? 1.0
? 10
A
A
A
A
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
2.0(TOTAL) 1.4(ELEMENT)
150
? 55 to + 150
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.06 - Rev.B
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