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参数资料
| 型号： | SH8M70TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A，2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.63 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8M70TB1DKR |
SH8M70
N-ch
? Electrical characteristics (Ta=25 ? C)
Data Sheet
Parameter Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Gate-source leakage
I GSS
?
?
± 10
μ A
V GS =± 25V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
250
?
?
V
I D = 1mA, V GS = 0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
?
R DS (on)
?
2.0
?
?
?
1.25
25
4.0
1.63
μ A
V
Ω
V DS = 250V, V GS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 1.5A, V GS = 10V
Forward transfer admittance
Y fs
?
0.75
?
?
S
I D = 1.5A, V DS = 10V
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r ?
t d (off) ?
t f ?
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
180
70
20
10
20
20
25
5.2
2.1
1.2
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = 25V
V GS = 0V
f = 1MHz
I D = 1.5A, V DD 125V
V GS = 10V
R L = 83 Ω
R G = 10 Ω
V DD 125V
V GS = 10V I D = 3A
R L = 42 Ω R G = 10 Ω
? Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta=25 ? C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Forward voltage
V SD
?
?
?
1.5
V
I S = 3A, V GS = 0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.06 - Rev.B
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