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参数资料
| 型号： | SH8M70TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A，2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.63 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8M70TB1DKR |
SH8M70
Data Sheet
10
10
V DS =10V
5
Pulsed
4
1
3
1
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
-25 ° C
0.1
Ta=-25 ° C
25 ° C
75 ° C
125 ° C
2
1
V GS =10V
Pulsed
0.1
0.1
1
Drain Current : -I D (A)
10
0.01
0.01
0.1 1
Drain Current : -I D (A)
10
V DS =10V
I D =1mA
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Channel Temperature : Tch: ( ° C)
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
Fig.8 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
Fig.9 Gate Threshold Voltage
vs. Channel Temperature
1000
100
5
4
V GS =10V
Pulsed
I D =2.5A
(X-1)
2
1.8
1.6
V GS =-10V
-9V
-8V
-7V
-6V
3
1.25A
1.4
1.2
T C =25 ° C
Single Pulsed
10
2
1
1
0.8
0.6
-5V
0.4
1
0.1 1 10
Reverse Drain Current : -I DR (A)
Fig.10 Reverse Recovery Time vs.
Reverse Drain Current
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Temperature : Tch ( ° C)
Fig.11 Static Drain-Source On-State
Resistance vs.Channel Temperature
6/7
0.2
0
-4V
0 2 4 6 8 10
Drain-Sourse Voltage : -V DS (V) (X-1)
Fig.12 Typical Output Characteristics
2010.06 - Rev.B
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