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参数资料
| 型号： | SH8M70TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A，2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.63 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8M70TB1DKR |
SH8M70
N-ch
? Measurement circuit
Data Sheet
V GS
I D
V DS
Pulse Width
R L
V GS
50%
10%
90%
50%
R G
D.U.T.
V DS
10%
10%
V DD
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t r
Fig.13 Switching Time Measurement Circuit
Fig.14 Switching Waveforms
I G (Const.)
R G
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DD
V DS
V G
V GS
Q gs
Q gd
Q g
Charge
Fig.15 Gate Charge Measurement Circuit
P-ch
? Measurement circuit
Fig.16 Gate Charge Waveform
V GS
I D
V DS
Pulse Width
R L
V GS
10%
50%
50%
90%
D.U.T.
R G
V DD
10%
10%
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
t r
t on
t off
Fig.17 Switching Time Measurement Circuit
Fig.18 Switching Waveforms
I G (Const.)
R G
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DD
V DS
V G
V GS
Q gs
Q g
Q gd
Charge
Fig.19 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.20 Gate Charge Waveform
www.rohm.com
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2010.06 - Rev.B
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