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参数资料
| 型号： | SH8M41TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 80V SOP8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8M41TB1DKR |
4V Drive Nch + Pch MOSFET
SH8M41
? Structure
Silicon N-channel MOSFET/
Silicon P-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
SOP8
? Features
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (SOP8).
? Application
Switching
(8)
(7)
(2)
(6)
(3)
? Packaging specifications
? Inner circuit
Package
Taping
(8)
(7)
(6)
(5)
Type
Code
TB
Basic ordering unit (pieces)
2500
(1) Tr1 Source
SH8M41
?
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Source
(4) Tr2 Gate
(5) Tr2 Drain
? 2
? 1
? 2
? 1
? Absolute maximum ratings (Ta = 25 ? C)
(6) Tr2 Drain
(7) Tr1 Drain
(8) Tr1 Drain
(1) (2) (3) (4)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
Parameter
Symbol
Limits
Tr1 : N-ch Tr2 : P-ch
Unit
? 2 BODY DIODE
Drain-source voltage
Gate-source voltage
V DSS
V GSS
80
20
? 80
? 20
V
V
Drain current
Source current
(Body Diode)
Power dissipation
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I s
I sp
P D
*1
*1
*2
? 3.4
? 13.6
1.6
13.6
2
? 2.6
? 10.4
? 1.6
? 10.4
A
A
A
A
W / TOTAL
Channel temperature
Range of storage temperature
Tch
Tstg
150
? 55 to +150
? C
? C
*1 Pw ? 10 ? s, Duty cycle ? 1%
*2 Mounted on a ceramic board.
? Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Channel to Ambient
Rth
(ch-a) *
62.5
? C / W
*Mounted on a ceramic board.
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8M70TB1 | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
| SI-300CC | CONTROLLER FOR VC-04 CAMERA |
| SI1010DK | DEVELOPMENT KIT SI101X |
| SI1021R-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A |
| SI1022R-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SH8M4TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8M5 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Pch MOSFET |
| SH8M5_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Pch MOSFET |
| SH8M5TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8M64GAGTCEBAA01 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:ea?￠MMCTM Product Family |
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