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参数资料
| 型号： | SH8M41TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 80V SOP8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8M41TB1DKR |
SH8M41
? Electrical characteristic curves <Tr1(Nch)>
Data Sheet
4
3
2
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
V GS = 3.0V
4
3
2
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
V GS = 3.0V
V GS = 2.6V
Ta=25°C
Pulsed
10
1
0.1
V DS = 10V
Pulsed
Ta= 125°C
Ta= 75°C
Ta= 25°C
Ta= - 25°C
V GS = 2.6V
1
V GS = 2.4V
Ta=25°C
Pulsed
1
V GS = 2.4V
0.01
0
0
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.1 Typical Output Characteristics( Ⅰ )
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.2 Typical Output Characteristics( Ⅱ )
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS [V]
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
1000
Ta=25°C
Pulsed
1000
V GS = 10V
Pulsed
1000
V GS = 4.5V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
100
V GS =10V
V GS =4.5V
V GS =4.0V
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
100
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ )
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ )
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ )
1000
V GS = 4.0V
10
V DS = 10V
10
V GS =0V
100
Pulsed
1
Pulsed
Ta= -25°C
1
Pulsed
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
0.1
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.1
0.01
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0
0.5
1
1.5
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅲ )
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.8 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
4/8
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD [V]
Fig.9 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
2010.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8M70TB1 | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
| SI-300CC | CONTROLLER FOR VC-04 CAMERA |
| SI1010DK | DEVELOPMENT KIT SI101X |
| SI1021R-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A |
| SI1022R-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SH8M4TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8M5 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Pch MOSFET |
| SH8M5_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Pch MOSFET |
| SH8M5TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8M64GAGTCEBAA01 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:ea?￠MMCTM Product Family |
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