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参数资料
| 型号： | SH8M41TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 80V SOP8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8M41TB1DKR |
SH8M41
? Electrical characteristics (Ta = 25 ? C)
<Tr2(Pch)>
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 10
Unit
? A
Conditions
V GS = ? 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
? 80
-
-
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
I DSS
-
? 1
? A
V DS = ? 80V, V GS =0V
Gate threshold voltage
V GS (th)
? 1.0
-
? 2.5
V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
Static drain-source on-state
resistance
R DS (on) *
-
-
-
165
220
230
240
300
310
I D = ? 2.6A, V GS = ? 10V
m ? I D = ? 1.3A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 1.3A, V GS = ? 4.0V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
Q g *
Q gs *
Q gd *
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1000
90
40
14
12
60
20
8.2
2.5
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
11.5
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I D = ? 2.6A, V DS = ? 10V
V DS = ? 10V
V GS =0V
f=1MHz
I D = ? 1.3A, V DD ? 40V
V GS = ? 10V
R L =31 ?
R G =10 ?
I D = ? 2.6A
V DD ? 40V
V GS = ? 5V
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25 ? C)
Parameter
Forward Voltage
Symbol
V SD *
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I s = ? 1.6A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8M70TB1 | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
| SI-300CC | CONTROLLER FOR VC-04 CAMERA |
| SI1010DK | DEVELOPMENT KIT SI101X |
| SI1021R-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A |
| SI1022R-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SH8M4TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8M5 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Pch MOSFET |
| SH8M5_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Pch MOSFET |
| SH8M5TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8M64GAGTCEBAA01 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:ea?￠MMCTM Product Family |
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