- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录507 > SH8M41TB1 (Rohm Semiconductor)MOSFET N/P-CH 80V SOP8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SH8M41TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 80V SOP8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8M41TB1DKR |
SH8M41
Data Sheet
? Measurement circuits
<Tr1(Nch)>
Pulse width
V GS
I D
R L
V DS
V GS
50%
10%
90%
50%
V DS
D.U.T.
10%
10%
R G
V DD
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Fig.1-1 Switching time measurement circuit
Fig.1-2 Switching waveforms
V G
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
I G(Const.)
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.2-1 Gate charge measurement circuit
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
<Tr2(Pch)>
Pulse Width
R G
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DS
V GS
10%
50%
10%
90%
50%
10%
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
t f
t on
t off
3-1
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
3-2
Fig.1-2 Switching Waveforms
V G
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
I G(Const.)
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
4-1
Fig.2-1 Gate charge measurement circuit
4-2
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
8/8
2010.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8M70TB1 | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
| SI-300CC | CONTROLLER FOR VC-04 CAMERA |
| SI1010DK | DEVELOPMENT KIT SI101X |
| SI1021R-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A |
| SI1022R-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SH8M4TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8M5 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Pch MOSFET |
| SH8M5_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Pch MOSFET |
| SH8M5TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8M64GAGTCEBAA01 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:ea?￠MMCTM Product Family |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。