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参数资料
| 型号： | SI1024X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6 |
| 产品目录绘图： | X-T1-E3 Series SOT-563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 485mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.75nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI1024X-T1-GE3DKR |
Package Information
Vishay Siliconix
SC89: 6 LEADS (SOT 563F)
2
3
D
aaa
C
4
A
6
e1
5
4
2X
4
D
B
SECTION B-B
E/2
C
6
2
3
E1
E
2X
aaa
C
DETAIL “A”
5
1
2
3
2X
bbb
C
e
B
6X b
4
ccc
M
C
A–B D
A1
L1
L
A
A1
SEE DETAIL “A”
MILLIMETERS
Tolerances
Of Form And
NOTES:
Dim
Min
Max
Note
Symbol
Position
1.
2.
Dimensions in millimeters.
Dimension D does not include mold flash, protrusions or gate
burrs. Mold flush, protrusions or gate burrs shall not exceed
A
A1
b
0.56
0.00
0.15
0.60
0.10
0.30
aaa
bbb
ccc
0.10
0.10
0.10
0.15 mm per dimension E1 does not include interlead flash or
protrusion, interlead flash or protrusion shall not exceed
c
0.10
0.18
0.15 mm per side.
D
1.50
1.70
2, 3
3.
Dimensions D and E1 are determined at the outmost extremes
E
1.55
1.70
of the plastic body exclusive of mold flash, the bar burrs, gate
burrs and interlead flash, but including any mismatch between
the top and the bottom of the plastic body.
E1
e
1.20 BSC
0.50 BSC
2, 3
5.
4 4.
5
Datums A, B and D to be determined 0.10 mm from the lead tip.
Terminal numbers are shown for reference only.
e1
L
L1
1.00 BSC
0.35 BSC
0.20 BSC
6.
These dimensions apply to the flat section of the lead between
0.08 mm and 0.15 mm from the lead tip.
ECN: E-00499—Rev. B, 02-Jul-01
DWG: 5880
Document Number: 71612
25-Jun-01
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si1025-A-GM | 功能描述:射频微控制器 - MCU 64KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| Si1025-A-GMR | 功能描述:射频微控制器 - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| Si1025-B-GM | 功能描述:射频微控制器 - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| Si1025-B-GMR | 功能描述:射频微控制器 - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| SI1025X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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