- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18529 > SI1031X-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 20V 155MA SC-75A PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI1031X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 155MA SC-75A |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 155mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 150mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1031R/X
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( ? )
8 at V GS = - 4.5 V
I D (mA)
- 150
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? High-Side Switching
- 20
12 at V GS = - 2.5 V
15 at V GS = - 1.8 V
20 at V GS = - 1.5 V
- 125
- 100
- 30
? Low On-Resistance: 8 ?
? Low Threshold: 0.9 V (typ.)
? Fast Switching Speed: 45 ns
? TrenchFET ? Power MOSFETs: 1.5 V Rated
? ESD Protected: 2000 V
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
Memories
SC-75A or SC-89
? Battery Operated Systems
? Power Supply Converter Circuits
G
1
SC-75A (SOT - 416): Si1031R
? Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
3
D
SC-89 (SOT - 490): Si1031X
BENEFITS
?
Ease in Driving Switches
S
2
Markin g Code: H
?
Low Offset (Error) Voltage
?
Low-Voltage Operation
Top V ie w
Orderin g Information:
?
?
High-Speed Circuits
Low Battery Voltage Operation
Si1031R-T1-GE3 (SC-75A, Lead (P b )-free and Halogen-free)
Si1031X-T1-GE3 (SC- 8 9, Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Si1031R
Si1031X
Parameter
Symbol
5s
Steady State
5s
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
V DS
V GS
- 20
±6
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current a
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
- 150
- 110
- 500
- 140
- 100
- 165
- 150
- 600
- 155
- 125
mA
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 250
- 200
- 340
- 240
Maximum Power Dissipation a
T A = 25 °C
T A = 85 °C
P D
280
145
250
130
340
170
300
150
mW
Operating Junction and Storage Temperature Range
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)
T J , T stg
ESD
- 55 to 150
2000
°C
V
Notes:
a. Surface mounted on FR4 board.
Document Number: 71171
S10-2544-Rev. D, 08-Nov-10
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YB216CWCKW01-6G-JS | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
| ASA-75.000MHZ-L-T | OSC 75.000 MHZ 3.3V SMD |
| EVU-F2JFK4B53 | RES POT 5KOHM 20% 1/20W 9MM SNAP |
| 46-502-A-01 | SWITCH PUSH SPDT 0.25A 115V |
| NTD6600N-001 | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si1032-A-GM | 功能描述:射频微控制器 - MCU 32KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| Si1032-A-GMR | 功能描述:射频微控制器 - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| SI1032R | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SC-75A 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N, SC-75A |
| SI1032R | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SC-75A |
| SI1032R_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。