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参数资料
| 型号： | SI1031X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 155MA SC-75A |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 155mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 150mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1031R/X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
0.3
0.2
0.1
I D = 0.25 mA
3.0
2.5
2.0
0.0
- 0.1
- 0.2
- 0.3
1.5
1.0
0.5
0.0
V GS = 2. 8 V
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T J - Temperat u re (° C)
Threshold Voltage Variance vs. Temperature
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
T J - Temperat u re (° C)
I GSS vs. Temperature
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T J - Temperat u re (°C)
BV GSS vs. Temperature
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single Pulse
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 500 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 - 4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
6 0 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (SC-75A, Si1031R Only)
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71171 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71171
S10-2544-Rev. D, 08-Nov-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YB216CWCKW01-6G-JS | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
| ASA-75.000MHZ-L-T | OSC 75.000 MHZ 3.3V SMD |
| EVU-F2JFK4B53 | RES POT 5KOHM 20% 1/20W 9MM SNAP |
| 46-502-A-01 | SWITCH PUSH SPDT 0.25A 115V |
| NTD6600N-001 | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si1032-A-GM | 功能描述:射频微控制器 - MCU 32KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| Si1032-A-GMR | 功能描述:射频微控制器 - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| SI1032R | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SC-75A 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N, SC-75A |
| SI1032R | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SC-75A |
| SI1032R_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET |
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