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参数资料
| 型号： | SI1031X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 155MA SC-75A |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 155mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 150mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
www.vishay.com
For Samsung only
1
b
3
2
c
Vishay Siliconix
0.150 ga u ge line
e
Top v ie w
D
Notes
(1) Millimeters will govern.
(2) Dimension exclusive of mold gate burrs.
(3) Dimension exclusive of mold flash and cutting burrs.
Side v ie w
DIM.
A
A1
b
c
D
E
E1
e
L
θ
MIN.
0.60
0.00
0.18
0.11
1.48
1.50
0.66
0.95
0.22
4°
MILLIMETERS
NOM.
0.70
0.05
0.22
0.13
1.58
1.60
0.76
1.00
0.32
7°
MAX.
0.80
0.10
0.32
0.21
1.68
1.70
0.86
1.05
0.42
10°
MIN.
0.024
0.000
0.007
0.004
0.058
0.059
0.026
0.037
0.009
4°
INCHES
NOM.
0.028
0.002
0.009
0.005
0.062
0.063
0.030
0.039
0.013
7°
MAX.
0.031
0.004
0.013
0.008
0.066
0.067
0.034
0.041
0.017
10°
C14-0222-Rev. E, 07-Apr-14
2
Document Number: 71348
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YB216CWCKW01-6G-JS | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
| ASA-75.000MHZ-L-T | OSC 75.000 MHZ 3.3V SMD |
| EVU-F2JFK4B53 | RES POT 5KOHM 20% 1/20W 9MM SNAP |
| 46-502-A-01 | SWITCH PUSH SPDT 0.25A 115V |
| NTD6600N-001 | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si1032-A-GM | 功能描述:射频微控制器 - MCU 32KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| Si1032-A-GMR | 功能描述:射频微控制器 - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| SI1032R | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SC-75A 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N, SC-75A |
| SI1032R | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SC-75A |
| SI1032R_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET |
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