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参数资料
| 型号： | SI1037X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 770MA SC-75A |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 770mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 195 毫欧 @ 770mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 170mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1037X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
0.6
0.5
600
500
C iss
0.4
0.3
0.2
0.1
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
400
300
200
100
C oss
0.0
0
C rss
0
1
2
3
4
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 0.77 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 0.77 A
0
1
2
3
4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
4
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.5
0.4
0.3
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 0.77 A
I D = 0.2 A
0.2
T J = 25 °C
0.1
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 70686
S10-2544-Rev. D, 08-Nov-10
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC736R-96 | OSC 96 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1039X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI1039X-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI1039X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 0.95A 0.21W 165 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1039X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 0.95A 0.21W 165mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI103X | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family |
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