- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18490 > SI1037X-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 20V 770MA SC-75A PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI1037X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 770MA SC-75A |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 770mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 195 毫欧 @ 770mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 170mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
SC89: 6 LEADS (SOT 563F)
2
3
D
aaa
C
4
A
6
e1
5
4
2X
4
D
B
SECTION B-B
E/2
C
6
2
3
E1
E
2X
aaa
C
DETAIL “A”
5
1
2
3
2X
bbb
C
e
B
6X b
4
ccc
M
C
A–B D
A1
L1
L
A
A1
SEE DETAIL “A”
MILLIMETERS
Tolerances
Of Form And
NOTES:
Dim
Min
Max
Note
Symbol
Position
1.
2.
Dimensions in millimeters.
Dimension D does not include mold flash, protrusions or gate
burrs. Mold flush, protrusions or gate burrs shall not exceed
A
A1
b
0.56
0.00
0.15
0.60
0.10
0.30
aaa
bbb
ccc
0.10
0.10
0.10
0.15 mm per dimension E1 does not include interlead flash or
protrusion, interlead flash or protrusion shall not exceed
c
0.10
0.18
0.15 mm per side.
D
1.50
1.70
2, 3
3.
Dimensions D and E1 are determined at the outmost extremes
E
1.55
1.70
of the plastic body exclusive of mold flash, the bar burrs, gate
burrs and interlead flash, but including any mismatch between
the top and the bottom of the plastic body.
E1
e
1.20 BSC
0.50 BSC
2, 3
5.
4 4.
5
Datums A, B and D to be determined 0.10 mm from the lead tip.
Terminal numbers are shown for reference only.
e1
L
L1
1.00 BSC
0.35 BSC
0.20 BSC
6.
These dimensions apply to the flat section of the lead between
0.08 mm and 0.15 mm from the lead tip.
ECN: E-00499—Rev. B, 02-Jul-01
DWG: 5880
Document Number: 71612
25-Jun-01
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC736R-96 | OSC 96 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 53AAA-B24-A18L | POT 50K OHM 1/2" SQ 1W CERMET |
| 314869-1 | PNEU HEAD 1614AWG P-G SPLICES |
| SIE848DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| 53AAA-B28-B20L | POT 100K OHM 1/2" SQ 1/2W PLAS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1039X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI1039X-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI1039X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 0.95A 0.21W 165 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1039X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 0.95A 0.21W 165mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI103X | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。