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参数资料
| 型号： | SI1037X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 770MA SC-75A |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 770mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 195 毫欧 @ 770mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 170mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SC-89: 6-Lead
0.051
(1.300)
0.012
(0.300)
0.020
(0.500)
0.051
(0.201)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72605
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
21
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC736R-96 | OSC 96 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 53AAA-B24-A18L | POT 50K OHM 1/2" SQ 1W CERMET |
| 314869-1 | PNEU HEAD 1614AWG P-G SPLICES |
| SIE848DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| 53AAA-B28-B20L | POT 100K OHM 1/2" SQ 1/2W PLAS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1039X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI1039X-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI1039X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 0.95A 0.21W 165 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1039X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 0.95A 0.21W 165mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI103X | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family |
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