- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录507 > SI1143-A10-GMR (Silicon Laboratories Inc)SENS IR PROXIMITY AMB LT 10QFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI1143-A10-GMR |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 6/78页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SENS IR PROXIMITY AMB LT 10QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 带接近传感器： | 是 |
| 波长： | 950nm |
| 电源电压： | 1.71 V ~ 3.6 V |
| 输出类型： | 数字 - I²C |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-WFQFN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 336-1970-6 |
第1页第2页第3页第4页第5页当前第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页
Si1141/42/43
Table 2. Performance Characteristics 1 (Continued)
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ
Max
Unit
LED1, LED2, LED3
I LEDx
V DD = 3.3 V, single drive
mA
Active Current
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 0001
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 0010
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 0011
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 0100
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 0101
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 0110
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 0111
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 1000
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 1001
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 1010
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 1011
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 1100
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 1101
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 1110
V LEDn = 1 V, PS_LEDn = 1111
3.5
—
13
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.6
11.2
22.4
45
67
90
112
135
157
180
202
224
269
314
359
7
—
29
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Actively Measuring Time 4
Visible Photodiode
Single PS
ALS VIS + ALS IR
Two ALS plus three PS
Sunlight
—
—
—
—
155
285
660
0.282
—
—
—
—
μs
μs
μs
ADC
Response
ALS_VIS_ADC_GAIN=0
VIS_RANGE=0
counts/
lux
2500K incandescent bulb
—
0.319
—
ADC
ALS_VIS_ADC_GAIN=0
VIS_RANGE=0
counts/
lux
“Cool white” fluorescent
—
0.146
—
ADC
ALS_VIS_ADC_GAIN=0
VIS_RANGE=0
counts/
lux
Infrared LED (875 nm)
—
8.277
—
ADC
ALS_VIS_ADC_GAIN=0
VIS_RANGE=0
counts.
m 2 /W
Notes:
1. Unless specifically stated in "Conditions", electrical data assumes ambient light levels < 1 klx.
2. Proximity-detection performance may be degraded, especially when there is high optical crosstalk, if the LED supply
and voltage drop allow the driver to saturate and current regulation is lost.
3. Guaranteed by design and characterization.
4. Represents the time during which the device is drawing a current equal to I active for power estimation purposes.
Assumes default settings.
6
Rev. 1.3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1300BDL-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V SC-70-3 |
| SI1302DL-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3 |
| SI1303DL-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 |
| SI1305DL-T1-GE3 | MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3 |
| SI1307EDL-T1-GE3 | MOSFET P-CH G-S 12V SC-70-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si1143-A11-GMR | 功能描述:近程传感器 I2C Proximity Amb Light Sensor 3 LED RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 感应方式:Optical 感应距离:1 mm to 200 mm 电源电压:2.5 V to 3.6 V 安装风格:SMD/SMT 输出配置:Digital 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 系列:VCNL3020 |
| SI1143-M01-EVB | 功能描述:Si1141-M01, Si1142-M01, Si1143-M01 - Light and Proximity Sensor Evaluation Board 制造商:silicon labs 系列:- 零件状态:有效 传感器类型:光线和近程 感应范围:- 接口:I2C 灵敏度:- 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.6 V 嵌入式:- 所含物品:2 板，线缆 使用的 IC/零件:Si1141-M01，Si1142-M01，Si1143-M01 标准包装:1 |
| SI1143-M01-GMR | 功能描述:Optical Sensor IR 850nm I2C 10-SMD Module (No Lead) 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:IR 波长:850nm 接近探测:是 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-SMD 模块（无引线） 供应商器件封装:10-QFN（4.9x2.9） 标准包装:1 |
| SI1145-A10-GMR | 功能描述:Optical Sensor Ambient I2C 10-WFQFN 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:环境 波长:- 接近探测:是 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-WFQFN 供应商器件封装:10-QFN（2x2） 标准包装:1 |
| SI1145-M01-GMR | 功能描述:Optical Sensor IR 850nm I2C 10-SMD Module (No Lead) 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:IR 波长:850nm 接近探测:是 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-SMD 模块（无引线） 供应商器件封装:10-QFN（4.9x2.9） 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。