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参数资料
| 型号： | SI1143-A10-GMR |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 8/78页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SENS IR PROXIMITY AMB LT 10QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 带接近传感器： | 是 |
| 波长： | 950nm |
| 电源电压： | 1.71 V ~ 3.6 V |
| 输出类型： | 数字 - I²C |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-WFQFN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 336-1970-6 |
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Si1141/42/43
Table 2. Performance Characteristics 1 (Continued)
Parameter
Large Infrared Photodi-
Symbol
Condition
All gain settings
Min
—
Typ
10
Max
—
Unit
ADC
ode Noise
counts
RMS
Visible Photodiode Offset
Drift
VIS_RANGE=0
ALS_VIS_ADC_GAIN=0
ALS_VIS_ADC_GAIN=1
—
–0.3
–0.11
—
ADC
counts/
°C
ALS_VIS_ADC_GAIN=2
ALS_VIS_ADC_GAIN=3
ALS_VIS_ADC_GAIN=4
ALS_VIS_ADC_GAIN=5
ALS_VIS_ADC_GAIN=6
ALS_VIS_ADC_GAIN=7
–0.06
–0.03
–0.01
–0.008
–0.007
–0.008
Small Infrared Photodiode
Offset Drift
IR_RANGE=0
IR_GAIN=0
IR_GAIN=1
—
–0.3
–0.06
—
ADC
counts/
°C
IR_GAIN=2
IR_GAIN=3
–0.03
–0.01
SCL, SDA, INT Output
Low Voltage
V OL
I = 4 mA, V DD > 2.0 V
I = 4 mA, V DD < 2.0 V
—
—
—
—
V DD x0.
2
V
V
0.4
Temperature Sensor Off-
25 °C
—
11136
—
ADC
set
counts
Temperature Sensor Gain
—
35
—
ADC
counts/
°C
Notes:
1. Unless specifically stated in "Conditions", electrical data assumes ambient light levels < 1 klx.
2. Proximity-detection performance may be degraded, especially when there is high optical crosstalk, if the LED supply
and voltage drop allow the driver to saturate and current regulation is lost.
3. Guaranteed by design and characterization.
4. Represents the time during which the device is drawing a current equal to I active for power estimation purposes.
Assumes default settings.
8
Rev. 1.3
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| SI1145-M01-GMR | 功能描述:Optical Sensor IR 850nm I2C 10-SMD Module (No Lead) 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:IR 波长:850nm 接近探测:是 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-SMD 模块（无引线） 供应商器件封装:10-QFN（4.9x2.9） 标准包装:1 |
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