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参数资料
| 型号： | SI1307EDL-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH G-S 12V SC-70-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 850mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 290mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1307EDL-T1-GE3DKR |
Si1307EDL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1.4
1.2
400
1.0
0. 8
0.6
0.4
0.2
0
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
300
200
100
0
C rss
C iss
C oss
0
1
2
3
4
5
6
7
0
3
6
9
12
8
6
4
2
0
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 4 V
I D = 1 A
1.6
1.2
0. 8
0.4
0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 1 A
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
1.6
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 1 A
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.2
0. 8
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V SD - S o u r c e - t o - D r a i n V o l t a g e ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71096
S10-0721-Rev. B, 29-Mar-10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
www.vishay.com
3
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