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参数资料
| 型号： | SI2302CDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 850mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI2302CDS-T1-GE3DKR |
Si2302CDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
2.0
1.6
0.07
1.2
0. 8
0.4
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.06
0.05
0.04
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
0.0
T C = - 55 °C
0.03
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4 6
8
10
400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
5
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
320
C iss
4
I D = 3.6 A
V DS = 10 V
V DS = 5 V
240
160
8 0
0
C oss
C rss
3
2
1
0
V DS = 15 V
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 2.5 V , I D = 3.1 A
V GS = 4.5 V , I D = 3.6 A
100
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
1.0
0. 8
0.6
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
T J = - 55 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 68645
S12-2336-Rev. D, 01-Oct-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.comm
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2303BDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 |
| SI2304BDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2302CDWF | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:SI2302C DIE IN WAFER FORM - Tape and Reel |
| SI2302DS | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| SI2302DS215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 2.5A SOT23 |
| SI2302DS-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 2.8A 1.25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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