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参数资料
| 型号： | SI2302CDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 850mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI2302CDS-T1-GE3DKR |
Si2302CDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.12
0.2
0.1
0.10
0.0
0.0 8
T J = 125 °C
- 0.1
I D = 1 mA
0.06
- 0.2
I D = 250 μ A
T J = 25 °C
0.04
- 0.3
0
1 2 3 4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
10
100 μ s
Limited b y R DS(on)*
8
1 ms
1
6
4
0.1
10 ms
100 ms
2
T A = 25 °C
T A = 25 °C
Single P u lse
1s
10 s
100 s, DC
B V DSS Limited
0
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1 10
100
t 1
t 2
1
0.1
0.01
Time (s)
Single Pulse Power
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
N otes:
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 70 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?68645 .
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.comm
Document Number: 68645
S12-2336-Rev. D, 01-Oct-12
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2303BDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 |
| SI2304BDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 |
| SI2304DDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 |
| SI2305ADS-T1-E3 | MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 |
| SI2305CDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2302CDWF | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:SI2302C DIE IN WAFER FORM - Tape and Reel |
| SI2302DS | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| SI2302DS,215 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 20V 2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2302DS215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 2.5A SOT23 |
| SI2302DS-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 2.8A 1.25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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