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参数资料
| 型号： | SI2305CDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 960pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
SOT-23 (TO-236): 3-LEAD
b
3
E 1
E
S
1
e 1
D
e
2
A
A 2
0.10 mm
0.004"
C
C
q
0.25 mm
G au ge Pl a ne
S e a ting Pl a ne
S e a ting Pl a ne
A 1
C
L
L 1
Dim
A
A 1
A 2
b
c
D
E
E 1
Min
0.89
0.01
0.88
0. 3 5
0.085
2.80
2.10
1.20
MILLIMETERS
Max
1.12
0.10
1.02
0.50
0.18
3 .04
2.64
1.40
Min
0.0 3 5
0.0004
0.0 3 46
0.014
0.00 3
0.110
0.08 3
0.047
INCHES
Max
0.044
0.004
0.040
0.020
0.007
0.120
0.104
0.055
e
e 1
0.95 BSC
1.90 BSC
0.0 3 74 Ref
0.0748 Ref
L
L 1
S
q
0.40
3 °
0.64 Ref
0.50 Ref
0.60
8°
0.016
3 °
0.025 Ref
0.020 Ref
0.024
8°
ECN: S-0 3 946-Rev. K, 09-Jul-01
DWG: 5479
Document Number: 71196
09-Jul-01
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2305DS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI2305DS-T1 | 功能描述:MOSFET 8V 3.5A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2305DS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 8V 3.5A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2305DST1-E3 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| SI2305DS-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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