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参数资料
| 型号： | SI2377EDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 61 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI2377EDS-T1-GE3DKR |
New Product
Si2377EDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1.5
1.2
10-2
10-3
0.9
0.6
T J = 25 °C
10-4
10-5
10-6
T J = 150 °C
T J = 25 °C
10-7
0.3
10- 8
0.0
0
3
6
9
12
15
10-9
0
3
6
9
12
15
20
16
12
8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
V GS = 5 V thru 2.5 V
V GS = 2 V
10
8
6
4
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
4
V GS = 1.5 V
2
T C = 125 °C
0
V GS = 1 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.21
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.1 8
0.15
0.12
0.09
0.06
0.03
0.00
V GS = 1.5 V
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
6
4
2
0
I D = 5.3 A
V DS = 10 V
V DS = 5 V
V DS = 16 V
0
4
8
12
16
20
0
3
6
9
12
15
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
Document Number: 65905
S10-0542-Rev. A, 08-Mar-10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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