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参数资料
| 型号： | SI2377EDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 61 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI2377EDS-T1-GE3DKR |
New Product
Si2377EDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
V GS = 4.5 V , 2.5 V ; I D = 3.2 A
100
10
T J = 150 °C
1.0
V GS = 1.8 V; I D = 1.5 A
T J = 25 °C
1
0.9
0. 8
0.7
0.1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0.1 8
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
0.15
I D = 3.2 A; T J = 125 °C
0.7
I D = 250 μ A
0.12
I D = 0.5 A; T J = 125 °C
0.6
0.09
0.5
0.06
I D = 3.2 A; T J = 25 °C
0.03
0.00
I D = 0.5 A; T J = 25 °C
0.4
0.3
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Limited by R DS(on) *
30
20
10
1
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
10
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1 s, 10 s
DC
BVDSS Limited
0
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
www.vishay.com
4
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 65905
S10-0542-Rev. A, 08-Mar-10
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