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参数资料
| 型号： | SI3216M-B-GM |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 31/122页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SLIC/CODEC 1CH 38QFN |
| 标准包装： | 43 |
| 系列： | ProSLIC® |
| 功能： | 用户线路接口概念（SLIC），CODEC |
| 接口： | GCI，PCM，SPI |
| 电路数： | 1 |
| 电源电压： | 3.13 V ~ 5.25 V |
| 电流 - 电源： | 88mA |
| 功率（瓦特）： | 700mW |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 38-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 38-QFN（5x7） |
| 包装： | 管件 |
| 包括： | 音频音调生成，BORSCHT 功能，FSK 生成，振铃和电池电压生成 |
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Si3216
16
Rev. 1.0
Not
Recommended
fo
r N
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D
esi
gn
s
Table 6. Monitor ADC Characteristics
(VDDA, VDDD = 3.13 to 5.25 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Differential Nonlinearity
(6-bit resolution)
DNLE
–1/2
—
1/2
LSB
Integral Nonlinearity
(6-bit resolution)
INLE
–1
—
1
LSB
Gain Error (voltage)
—
10
%
Gain Error (current)
—
20
%
Table 7. Si321x DC Characteristics, VDDA =VDDD =5.0 V
(VDDA, VDDD = 4.75 to 5.25 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
High Level Input Voltage
VIH
0.7 x VDDD
——
V
Low Level Input Voltage
VIL
——
0.3 x VDDD
V
High Level Output Voltage
VOH
DIO1,DIO2,SDITHRU:IO =–4mA
SDO, DTX:IO =–8 mA
VDDD – 0.6
—
V
DOUT: IO = –40 mA
VDDD – 0.8
—
V
Low Level Output Voltage
VOL
DIO1,DIO2,DOUT,SDITHRU:
IO =4 mA
SDO,INT,DTX:IO =8 mA
——
0.4
V
Input Leakage Current
IL
–10
—
10
A
Table 8. Si321x DC Characteristics, VDDA =VDDD =3.3 V
(VDDA, VDDD = 3.13 to 3.47 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
High Level Input Voltage
VIH
0.7 x VDDD
——
V
Low Level Input Voltage
VIL
——
0.3 x VDDD
V
High Level Output Voltage
VOH
DIO1,DIO2,SDITHRU:IO =–2mA
SDO, DTX:IO =–4mA
VDDD – 0.6
—
V
DOUT: IO =–40 mA
VDDD – 0.8
—
V
Low Level Output Voltage
VOL
DIO1,DIO2,DOUT,SDITHRU:
IO =2mA
SDO,INT,DTX:IO =4mA
——
0.4
V
Input Leakage Current
IL
–10
—
10
A
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