参数资料
型号: SI3443DV
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
产品变化通告: Mold Compound Change 08/April/2008
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 640pF @ 10V
功率 - 最大: 800mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: 6-SSOT
包装: 标准包装
产品目录页面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: SI3443DVFSDKR
Typical Characteristics
5
(continued)
1250
4
3
2
I D = -4A
V DS = -5V
-10V
-15V
1000
750
500
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
1
0
250
0
C OSS
C RSS
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics
100
5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
4
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
1ms
10ms
3
1
100ms
1s
V GS = -4.5V
DC
2
R θ JA = 156 C/W
T A = 25 C
0.1
0.01
SINGLE PULSE
o
o
1
0
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
0.5
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 156°C/W
0.05
0.05
t 1
t 2
0.02
0.01
0.005
0.02
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
Si3443DV, REV A
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