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参数资料
型号： SI3443DVTRPBF
厂商： International Rectifier
文件页数： 2/7页
文件大小： 0K
描述： MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
标准包装： 1
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 4.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 65 毫欧 @ 4.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1079pF @ 10V
功率 - 最大： 2W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）
供应商设备封装： Micro6?（TSOP-6）
包装： 标准包装
其它名称： SI3443DVTRPBFDKR
Si3443DVPbF
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-20
––– ––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
-0.005 –––
V/°C
Reference to 25°C, I D = -1mA
–––
0.034 0.065 V GS = -4.5V, I D = -4.4A ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
0.053 0.090
?
V GS = -2.7V, I D = -3.7A ?
–––
0.060 0.100 V GS = -2.5V, I D = -3.5A ?
70 100 R G = 6.0 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
-0.60
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– -1.2 V V DS = V GS , I D = -250μA
12 ––– S V DS = -10V, I D = -4.4 A
––– -1.0 V DS = -20V, V GS = 0V
μA
––– -5.0 V DS = -20V, V GS = 0V, T J = 70°C
––– -100 V GS = -12V
nA
––– 100 V GS = 12V
11 15 I D = -4.4A
2.2 ––– nC V DS = -10V
2.9 ––– V GS = -4.5V ?
12 50 V DD = -10V, V GS = -4.5V ?
33 60 I D = -1.0A
ns
72 100 R D = 10 ?, ?
1079 ––– V GS = 0V
220 ––– pF V DS = -10V
152 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
???
???
???
???
- 2.0
- 20
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
51
30
-1.2
77
44
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -1.7A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = -1.7A
di/dt = -100A/μs ?
?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 5sec.
? Starting T J = 25°C, L = 6.8mH
R G = 25 ? , I AS = -3.0A.
www.irf.com
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PDF描述
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参数描述
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SI3445ADV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 5.8A 2.0W 42mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3445DV 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3445DV_Q 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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