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参数资料
| 型号： | SI3443DVTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1079pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI3443DVTRPBFDKR |
Si3443DVPbF
1600
1200
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
15
12
I D = -4.5A
V DS =-10V
9
800
6
400
Coss
Crss
3
0
1
10
100
0
0
4
8
12
16
20
24
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
10
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
T J = 25 C
1
T J = 150 ° C
°
10
1
100us
1ms
10ms
0.1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
V GS = 0 V
2.0 2.4
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
0.1
0.1
1
10
100
4
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3443DV | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 |
| SI3445DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 6-TSOP |
| SI3454ADV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP |
| SI3455ADV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP |
| SI3457BDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3445ADV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI3445ADV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 5.8A 2.0W 42 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3445ADV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 5.8A 2.0W 42mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3445DV | 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3445DV_Q | 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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