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参数资料
| 型号： | SI3445DV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 5.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 4.5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3445DV
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
-8
R DS(on) ( Ω )
0.042 at V GS = - 4.5 V
0.060 at V GS = - 2.5 V
0.080 at V GS = - 1.8 V
I D (A)
± 5.6
± 4.7
± 2.9
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? 1.8 V Rated
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
TSOP-6
Top V ie w
1
6
(4) S
3 mm
2
3
5
4
(3) G
2.85 mm
(1, 2, 5, 6) D
Orderin g Information: Si3445D V -T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si3445D V -T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
-8
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a, b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a, b
Maximum Power Dissipation a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
± 5.6
± 4.5
± 20
- 1.7
2.0
1.3
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
106
62.5
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. t ≤ 5 s.
Document Number: 70820
S09-0766-Rev. C, 04-May-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3445DV-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor |
| SI3445DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3446ADV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI3446ADV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 3.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3446ADV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 3.2W 37mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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