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参数资料
| 型号： | SI3445DV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 5.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 4.5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
TSOP: 5/6?LEAD
JEDEC Part Number: MO-193C
e1
e1
5
4
E 1
E
6
5
4
E 1
E
1
2
3
1
2
3
-B-
-B-
e
b
0.15 M C B A
e
b
0.15 M C B A
5-LEAD TSOP
D
-A-
R
6-LEAD TSOP
4x 1
0.17 Ref
c
A 2 A
R
L 2
G au ge Pl a ne
0.0 8
C
-C-
A 1
S e a ting Pl a ne
4x 1
(L 1 )
L
S e a ting Pl a ne
MILLIMETERS
INCHES
Dim
A
A 1
A 2
b
c
D
E
E 1
Min
0.91
0.01
0.90
0.30
0.10
2.95
2.70
1.55
Nom
-
-
-
0.32
0.15
3.05
2. 8 5
1.65
Max
1.10
0.10
1.00
0.45
0.20
3.10
2.9 8
1.70
Min
0.036
0.0004
0.035
0.012
0.004
0.116
0.106
0.061
Nom
-
-
0.03 8
0.013
0.006
0.120
0.112
0.065
Max
0.043
0.004
0.039
0.01 8
0.00 8
0.122
0.117
0.067
e
0.95 B S C
0.0374 B S C
e 1
L
1. 8 0
0.32
1.90
-
2.00
0.50
0.071
0.012
0.075
-
0.079
0.020
L 1
L 2
0.60 Ref
0.25 B S C
0.024 Ref
0.010 B S C
R
0.10
0
-
4
-
8
0.004
0
-
4
-
8
1
7 Nom
7 Nom
ECN: C-06593-Rev. I, 1 8 -Dec-06
DWG: 5540
Document Number: 71200
18-Dec-06
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI3446ADV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 3.2W 37mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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