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参数资料
| 型号： | SI3445DV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 5.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 4.5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3445DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
0.20
0.16
0.12
I D = 5.6 A
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.0 8
0.04
0.00
0.00
0.25
0.50 0.75 1.00 1.25
1.50
0
1
2
3
4
5
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
25
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
20
0.2
I D = 250 μA
15
10
0.0
5
- 0.2
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 1
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 106 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Sq u are W a v e P u lse D u reation (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?70820 .
www.vishay.com
4
Document Number: 70820
S09-0766-Rev. C, 04-May-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASA-38.400MHZ-L-T3 | OSC 38.400 MHZ 3.3V SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3445DV-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor |
| SI3445DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3446ADV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI3446ADV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 3.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3446ADV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 3.2W 37mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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