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参数资料
| 型号： | SI3500-A-GM |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 15/18页 |
| 文件大小： | 192K |
| 描述： | IC POE SWITCH PWR OVER LAN 20QFN |
| 标准包装： | 60 |
| 类型： | 以太网供电开关（PoE） |
| 应用： | IP 电话，LAN 网络供电，网络路由器和交换机 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 525mA |
| 电源电压： | 42 V ~ 57 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 20-QFN（5x5） |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | SMARTPSE24-KIT-ND - KIT EVAL REF 24PORT SPI/UART SI3480MS8-KIT-ND - KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500 |
| 其它名称： | 336-1844-5 |
Si3500
Rev. 1.1
15
Table 10. PCB Land Pattern Dimensions
Symbol
Min
Nom
Max
P1
2.70
2.75
2.80
P2
2.70
2.75
2.80
X1
0.25
0.30
0.35
Y1
0.90
0.95
1.00
C1
4.70
C2
4.70
E
0.80
General:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing is per the ANSI Y14.5M-1994 specification.
3. This Land Pattern Design is based on the IPC-7351 guidelines.
Solder Mask Design:
4. All metal pads are to be non-solder mask defined (NSMD). Clearance between the
solder mask and the metal pad is to be 60 m minimum, all the way around the pad.
Stencil Design:
5. A stainless steel, laser-cut and electro-polished stencil with trapezoidal walls should be
used to assure good solder paste release.
6. The stencil thickness should be 0.125mm (5 mils).
7. The ratio of stencil aperture to land pad size should be 1:1 for all perimeter pins.
8. A 2x2 array of 1.2 mm square openings on 1.4 mm pitch should be used for the center
ground pad.
Card Assembly:
9. A No-Clean, Type-3 solder paste is recommended.
10. The recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020C specification
for Small Body Components.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI786LSG-E3 | IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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| TC670ECHTR | IC FAN FAILURE DETECTOR SOT23A-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3500-A-GMR | 功能描述:直流/直流开关转换器 -57V to +3.3V DC/DC converter RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大输入电压:4.5 V 开关频率:1.5 MHz 输出电压:4.6 V 输出电流:250 mA 输出端数量:2 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT |
| SI3529DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 2.25/1.76A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3529DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3529DV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL N/P CHANNEL MOSFET 40V TSOP |
| Si3540 | 功能描述:电机驱动器 PKG 3.5A 40VDC IND RoHS:否 制造商:Applied Motion 电机驱动类型:2035 Step 电源电压:12 V to 35 V 功率额定值:70 W 每转步距分辨率:200 to 400 框架大小 (NEMA): |
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