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参数资料
| 型号： | SI3500-A-GM |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 5/18页 |
| 文件大小： | 192K |
| 描述： | IC POE SWITCH PWR OVER LAN 20QFN |
| 标准包装： | 60 |
| 类型： | 以太网供电开关（PoE） |
| 应用： | IP 电话，LAN 网络供电，网络路由器和交换机 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 525mA |
| 电源电压： | 42 V ~ 57 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 20-QFN（5x5） |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | SMARTPSE24-KIT-ND - KIT EVAL REF 24PORT SPI/UART SI3480MS8-KIT-ND - KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500 |
| 其它名称： | 336-1844-5 |
Si3500
Rev. 1.1
5
Table 3. Absolute Maximum Ratings (Transient)
1
Type
Description
Rating
Unit
Voltage
VPOS
2
0.7 to 80
V
HSO
0.7 to 80
V
VSS1, VSS2, or VSSA
0.7 to 80
V
SWO
0.7 to 80
V
Current
VPOS
2
5 to 5
A
Notes:
1. Unless otherwise noted, all voltages referenced to VNEG. Permanent device damage may occur if the maximum ratings
are exceeded. Functional operation should be restricted to those conditions specified in the operational sections of this
data sheet. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may adversely affect device
reliability.
2. VPOS is equal to VPOS1 and VPOS2 tied together for test condition purposes.
Table 4. Surge Immunity Ratings
1,2
Type
Description
Rating
Unit
ESD (System-Level)
Air discharge (IEC 61000-4-2)
16.5 to 16.5
kV
Contact discharge (IEC 61000-4-2)
8 to 8
kV
ESD (CDM)
JEDEC (JESD22-C101C)
750 to 750
V
ESD (HBM)
JEDEC (JESD22-A114E)
2 to 2
kV
ESD (MM)
JEDEC (JESD22-A115A)
150 to 150
V
Notes:
1. Permanent device damage may occur if the maximum ratings are exceeded. Functional operation should be restricted
to those conditions specified in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may adversely affect device reliability.
2. Care should be taken to follow layout guidelines.
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3500-A-GMR | 功能描述:直流/直流开关转换器 -57V to +3.3V DC/DC converter RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大输入电压:4.5 V 开关频率:1.5 MHz 输出电压:4.6 V 输出电流:250 mA 输出端数量:2 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT |
| SI3529DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 2.25/1.76A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3529DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3529DV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL N/P CHANNEL MOSFET 40V TSOP |
| Si3540 | 功能描述:电机驱动器 PKG 3.5A 40VDC IND RoHS:否 制造商:Applied Motion 电机驱动类型:2035 Step 电源电压:12 V to 35 V 功率额定值:70 W 每转步距分辨率:200 to 400 框架大小 (NEMA): |
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