参数资料
型号: SI3500-A-GM
厂商: Silicon Laboratories Inc
文件页数: 8/18页
文件大小: 192K
描述: IC POE SWITCH PWR OVER LAN 20QFN
标准包装: 60
类型: 以太网供电开关(PoE)
应用: IP 电话,LAN 网络供电,网络路由器和交换机
内部开关:
电流限制: 525mA
电源电压: 42 V ~ 57 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 20-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 20-QFN(5x5)
包装: 管件
配用: SMARTPSE24-KIT-ND - KIT EVAL REF 24PORT SPI/UART
SI3480MS8-KIT-ND - KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500
其它名称: 336-1844-5
Si3500
8
Rev. 1.1
Figure 3. SchematicNon-Isolated 3.3 V Output*
*Note: This is a simplified schematic. Refer to Si3452 reference design databases for complete application schematic.
Figure 4. Startup Waveform for Current in Figure 3
C1
Si3500
VNEG
RBIAS
SWO
C3
D1
R5
R7
R6
PS2911
T1
R2
VDD
EROUT
  R8
ISOSSFT
R3
C5
C4
R4
C7
C8
-Vin
+VIN
50V
R1
EROUT
Optional
to reduce
Short circuit
current limit
Connect to +Vin
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PDF描述
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参数描述
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SI3529DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 2.25/1.76A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3529DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3529DV-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL N/P CHANNEL MOSFET 40V TSOP
Si3540 功能描述:电机驱动器 PKG 3.5A 40VDC IND RoHS:否 制造商:Applied Motion 电机驱动类型:2035 Step 电源电压:12 V to 35 V 功率额定值:70 W 每转步距分辨率:200 to 400 框架大小 (NEMA):