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参数资料
| 型号： | SI3865CDV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 类型： | 高端开关 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 130 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 2.8A |
| 输入电压： | 1.8 V ~ 12 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AN823
Vishay Siliconix
10 s (max)
255 ? 260 _ C
140 ? 170 _ C
1 X 4 _ C/s (max)
217 _ C
60 s (max)
3-6 _ C/s (max)
3 _ C/s (max)
60-120 s (min)
Reflow Zone
Pre-Heating Zone
Maximum peak temperature at 240 _ C is allowed.
FIGURE 3. Solder Reflow Temperature and Time Durations
THERMAL PERFORMANCE
A basic measure of a device’s thermal performance is the
On-Resistance vs. Junction Temperature
junction-to-case thermal resistance, R q jc , or the
junction-to-foot thermal resistance, R q jf . This parameter is
measured for the device mounted to an infinite heat sink and
is therefore a characterization of the device only, in other
words, independent of the properties of the object to which the
device is mounted. Table 1 shows the thermal performance
of the TSOP-6.
TABLE 1.
Equivalent Steady State Performance—TSOP-6
Thermal Resistance R q jf 30 _ C/W
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
I D = 6.1 A
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
SYSTEM AND ELECTRICAL IMPACT OF
TSOP-6
In any design, one must take into account the change in
MOSFET r DS(on) with temperature (Figure 4).
www.vishay.com
2
T J ? Junction Temperature ( _ C)
FIGURE 4. Si3434DV
Document Number: 71743
27-Feb-04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM22DRTF | CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD |
| 0982660817 | CBL 13POS 0.5MM JMPR TYPE A 4" |
| AD9204-65EBZ | BOARD EVALUATION 65MSPS AD9204 |
| EBM30DRSN | CONN EDGECARD 60POS DIP .156 SLD |
| AD9204-80EBZ | BOARD EVALUATION 80MSPS AD9204 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3865CDV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 2.8A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si3865DDV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:CNAD SWITCH WITH LEVEL-SHIFT - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6TSOP 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Power Switch ICs - Power Distribution 12V 2.8A .83W |
| SI3865DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:iLoad Switch with Level-Shift |
| SI3865DV-T1 | 功能描述:电源开关 IC - 配电 8V 2.7A 0.83W RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| SI3867DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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