| 型号: | SI3909DV-T1-E3 |
| 厂商: | Vishay Siliconix |
| 文件页数: | 1/10页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP |
| 标准包装: | 3,000 |
| 系列: | TrenchFET® |
| FET 型: | 2 个 P 沟道(双) |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 200 毫欧 @ 1.8A,4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 500mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
| 供应商设备封装: | 6-TSOP |
| 包装: | 带卷 (TR) |