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参数资料
| 型号： | SI3909DV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 500mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR TSOP-6
0.099
(2.510)
0.039
(1.001)
0.020
(0.508)
0.019
(0.493)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
26
Document Number: 72610
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2023S2A2G40 | SW TOGGLE DPDT SMOOTH .4VA GOLD |
| B32669B6105J | FILM CAP 1UF 5% 400VAC G3130 |
| FXO-LC538-33 | OSC 33 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| FXO-PC538-1.163 | OSC 1.163 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32654A3155K | FILM CAP 1.5UF 10% 250V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3909DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 1.8A 1.15W 200mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI390M100 | 制造商:NTE 制造商全称:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
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| SI390M160 | 制造商:NTE 制造商全称:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
| SI390M200 | 制造商:NTE 制造商全称:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
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