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参数资料
| 型号： | SI3909DV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 500mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3909DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
V GS = 4.5 V thru 4 V
3.5 V
T C = - 55 °C
8
6
6
4
3V
2.5 V
4
25 °C
125 °C
2
0
2V
1.5 V
2
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.6
0.5
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
450
360
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.4
270
0.3
0.2
V GS = 3.6 V
180
C oss
0.1
0
V GS = 4.5 V
90
0
C rss
0
1
2
3
4
5
6
7
0
4
8
12
16
20
4.5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
3.6
V DS = 10 V
I D = 1.8 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 1.8 A
1.4
2.7
1.8
1.2
1.0
0.8
0.9
0.6
0
0.4
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70968
S09-2276-Rev. B, 02-Nov-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
|---|---|
| M2023S2A2G40 | SW TOGGLE DPDT SMOOTH .4VA GOLD |
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| B32654A3155K | FILM CAP 1.5UF 10% 250V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3909DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 1.8A 1.15W 200mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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