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参数资料
| 型号： | SI4122M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 12/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4122 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4122 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名称： | 336-1104 |
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Si4133
2
Rev. 1.61
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4113M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
| GLAA01A | SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT |
| EK64904-11 | KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES |
| GLEB24B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT |
| ZMN2405HPDB-C | ADDITIONAL ZMN2405HP DEVELOPMENT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4123 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
| SI4123-BM | 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4123-D-GM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4123-BMR | 功能描述:射频无线杂项 General Purpose RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4123-BT | 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4123-D-GT FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4123-D-GM | 功能描述:锁相环 - PLL SINGLE BAND RF MLP-28 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 类型:PLL Clock Multiplier 电路数量:1 最大输入频率:710 MHz 最小输入频率:0.002 MHz 输出频率范围:0.002 MHz to 808 MHz 电源电压-最大:3.63 V 电源电压-最小:1.71 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:QFN-36 封装:Tray |
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