参数资料
型号: SI4122M-EVB
厂商: Silicon Laboratories Inc
文件页数: 27/36页
文件大小: 0K
描述: BOARD EVALUATION FOR SI4122
标准包装: 1
类型: 合成器
适用于相关产品: SI4122
已供物品: 板,CD
其它名称: 336-1104
Si4133
Rev. 1.61
33
10. Package Outline: Si4133-GM
Figure 20 illustrates the package details for the Si4133-GM. Table 17 lists the values for the dimensions shown in
the illustration.
Figure 20. 28-Pin Quad Flat No-Lead (QFN)
Table 17. Package Dimensions
Symbol
Millimeters
Symbol
Millimeters
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
A
0.80
0.85
0.90
L
0.50
0.60
0.70
A1
0.00
0.01
0.05
aaa
0.10
b
0.18
0.23
0.30
bbb
0.10
D, E
5.00 BSC
ccc
0.05
e
0.50 BSC
ddd
0.10
D2, E2
2.55
2.70
2.85
——
12
Notes:
1. Dimensioning and tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
2. This package outline conforms to JEDEC MS-220, variant VHHD-1.
3. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020B specification for Small Body
Components.
相关PDF资料
PDF描述
SI4113M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4113
GLAA01A SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
EK64904-11 KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES
GLEB24B SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT
ZMN2405HPDB-C ADDITIONAL ZMN2405HP DEVELOPMENT
相关代理商/技术参数
参数描述
SI4123 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4123-BM 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4123-D-GM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel
SI4123-BMR 功能描述:射频无线杂项 General Purpose RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel
SI4123-BT 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4123-D-GT FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel
SI4123-D-GM 功能描述:锁相环 - PLL SINGLE BAND RF MLP-28 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 类型:PLL Clock Multiplier 电路数量:1 最大输入频率:710 MHz 最小输入频率:0.002 MHz 输出频率范围:0.002 MHz to 808 MHz 电源电压-最大:3.63 V 电源电压-最小:1.71 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:QFN-36 封装:Tray