型号: | SI4113M-EVB |
厂商: | Silicon Laboratories Inc |
文件页数: | 1/36页 |
文件大小: | 0K |
描述: | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
标准包装: | 1 |
类型: | 合成器 |
适用于相关产品: | SI4113 |
已供物品: | 板,CD |
其它名称: | 336-1100 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SI4114DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SI4114DY_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
Si4114DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
Si4114DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
Si4114G-B-GM | 功能描述:射频无线杂项 GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |