- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18712 > SI4113M-EVB (Silicon Laboratories Inc)BOARD EVALUATION FOR SI4113 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI4113M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 4/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4113 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名称： | 336-1100 |
第1页第2页第3页当前第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页
Si4133
12
Rev. 1.61
Figure 7. Typical RF1 Phase Noise at 1.6 GHz
with 200 kHz Phase Detector Update Frequency
Figure 8. Typical RF1 Spurious Response at 1.6 GHz
with 200 kHz Phase Detector Update Frequency
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
140
130
120
110
100
90
80
70
60
Offset Frequency (Hz)
Phase
Noise
(dBc/Hz)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLAA01A | SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT |
| EK64904-11 | KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES |
| GLEB24B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT |
| ZMN2405HPDB-C | ADDITIONAL ZMN2405HP DEVELOPMENT |
| DR7002-DK | 3G DEVELOPMENT KIT 418 MHZ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4114DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4114DY_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| Si4114DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si4114DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si4114G-B-GM | 功能描述:射频无线杂项 GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。