参数资料
型号: SI4113M-EVB
厂商: Silicon Laboratories Inc
文件页数: 14/36页
文件大小: 0K
描述: BOARD EVALUATION FOR SI4113
标准包装: 1
类型: 合成器
适用于相关产品: SI4113
已供物品: 板,CD
其它名称: 336-1100
Si4133
Rev. 1.61
21
4. Control Registers
Note: Registers 9–15 are reserved. Writes to these registers might result in unpredictable behavior. Registers not listed here
are reserved and should not be written.
Table 12. Register Summary
Register Name
Bit
17
Bit
16
Bit
15
Bit
14
Bit
13
Bit
12
Bit
11
Bit
10
Bit
9
Bit
8
Bit
7
Bit
6
Bit
5
Bit
4
Bit
3
Bit
2
Bit
1
Bit
0
0
Main
Configura-
tion
00
0
AUXSEL
[1:0]
IFDIV
[1:0]
00
0
LPWR
0
AUTO
PDB
AUTO
KP
RF
PWR
0
1
Phase
Detector
Gain
0
00
0
KPI[1:0]
KP2[1:0]
KP1[1:0]
2
Powerdown
0
PDIB
PDRB
3RF1
N-Divider
NRF1[17:0]
4RF2
N-Divider
0NRF2[16:0]
5IF N-Divider
0
NIF[15:0]
6RF1
R-Divider
00
0
RRF1[12:0]
7RF2
R-Divider
00
0
RRF2[12:0]
8
IF R-Divider
0
RIF[12:0]
9
Reserved
.
15
Reserved
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SI4114DY_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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Si4114DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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