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参数资料
| 型号： | SI4113M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 22/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4113 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名称： | 336-1100 |
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Si4133
Rev. 1.61
29
6. Pin Descriptions: Si4133-GM
Pin Number
Name
Description
1
GNDR
Common ground for RF analog circuitry
2
RFLD
Pins for inductor connection to RF2 VCO
3
RFLC
Pins for inductor connection to RF2 VCO
4
GNDR
Common ground for RF analog circuitry
5
RFLB
Pins for inductor connection to RF1 VCO
6
RFLA
Pins for inductor connection to RF1 VCO
7
GNDR
Common ground for RF analog circuitry
8
GNDR
Common ground for RF analog circuitry
9
GNDR
Common ground for RF analog circuitry
10
RFOUT
Radio frequency (RF) output of the selected RF VCO
11
VDDR
Supply voltage for the RF analog circuitry
12
AUXOUT
Auxiliary output
13
PWDN
Powerdown input pin
14
GNDD
Common ground for digital circuitry
15
XIN
Reference frequency amplifier input
16
GNDD
Common ground for digital circuitry
17
VDDD
Supply voltage for digital circuitry
18
GNDD
Common ground for digital circuitry
19
IFLA
Pins for inductor connection to IF VCO
20
IFLB
Pins for inductor connection to IF VCO
21
GNDI
Common ground for IF analog circuitry
22
GNDI
Common ground for IF analog circuitry
23
IFOUT
Intermediate frequency (IF) output of the IF VCO
24
VDDI
Supply voltage for IF analog circuitry
25
SEN
Enable serial port input
26
SCLK
Serial clock input
27
SDATA
Serial data input
28
GNDR
Common ground for RF analog circuitry
SC
L
K
SD
AT
A
GN
DR
RFLD
RFLC
RFLB
GNDR
RFLA
RFOU
T
VD
DR
SE
N
VD
DI
IF
O
U
T
GNDI
IFLB
IFLA
GN
DD
VDDD
GNDD
XIN
PW
DN
AU
XO
UT
21
20
19
18
17
16
15
8
9
10 11 12 13 14
28 27 26
25 24
23 22
1
2
3
4
5
6
7
GN
DR
GNDR
GNDD
GN
DI
GN
DR
GND
Pad
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SI4114DY_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| Si4114DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si4114G-B-GM | 功能描述:射频无线杂项 GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
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