SI4113M-EVB (Silicon) PDF资料下载 Datasheet(24/36 页)

相关PDF资料	PDF描述
GLAA01A	SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
EK64904-11	KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES
GLEB24B	SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT
ZMN2405HPDB-C	ADDITIONAL ZMN2405HP DEVELOPMENT
DR7002-DK	3G DEVELOPMENT KIT 418 MHZ

相关代理商/技术参数	参数描述
SI4114DY	制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4114DY_09	制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si4114DY-T1-E3	功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si4114DY-T1-GE3	功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si4114G-B-GM	功能描述:射频无线杂项 GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel

相关代理商/技术参数

参数描述

制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

Si4114DY-T1-GE3

Si4114G-B-GM

功能描述:射频无线杂项 GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

型号：	SI4113M-EVB
厂商：	Silicon Laboratories Inc
文件页数：	24/36页
文件大小：	0K
描述：	BOARD EVALUATION FOR SI4113
标准包装：	1
类型：	合成器
适用于相关产品：	SI4113
已供物品：	板，CD
其它名称：	336-1100

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式