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参数资料
| 型号： | SI4122M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 35/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4122 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4122 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名称： | 336-1104 |
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Si4133
8
Rev. 1.61
Table 5. RF and IF Synthesizer Characteristics
(VDD = 2.7 to 3.6 V, TA = –40 to 85 °C)
Parameter1
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
XIN Input Frequency
f
REF
2—
26
MHz
Reference Amplifier Sensitivity
VREF
0.5
—
VDD
+0.3 V
VPP
Phase Detector Update Frequency
f
f= fREF/R
0.010
—
1.0
MHz
RF1 VCO Center Frequency Range
fCEN
947
—
1720
MHz
RF1 VCO Tuning Range2
Extended frequency
operation
1850
—
2050
MHz
RF2 VCO Center Frequency Range
fCEN
789
—
1429
MHz
RF Tuning Range from fCEN
Note: LEXT ±10%
–5
—
5
%
IF VCO Center Frequency Range
fCEN
526
—
952
MHz
IFOUT Tuning Range
with IFDIV
62.5
—
1000
MHz
IFOUT Tuning Range from fCEN
Note: LEXT ±10%
–5
—
5
%
RF1 VCO Pushing
Open loop
—
500
—
kHz/V
RF2 VCO Pushing
—
400
—
kHz/V
IF VCO Pushing
—
300
—
kHz/V
RF1 VCO Pulling
VSWR = 2:1, all
phases, open loop
—
400
—
kHzPP
RF2 VCO Pulling
—
300
—
kHzPP
IF VCO Pulling
—
100
—
kHzPP
RF1 Phase Noise
1 MHz offset
—
–132
—
dBc/Hz
RF1 Integrated Phase Error
10 Hz to 100 kHz
—
0.9
—
degrees
rms
RF2 Phase Noise
1 MHz offset
—
–134
—
dBc/Hz
RF2 Integrated Phase Error
10 Hz to 100 kHz
—
0.7
—
degrees
rms
IF Phase Noise
100 kHz offset
—
–117
—
dBc/Hz
IF Integrated Phase Error
100 Hz to 100 kHz
—
0.4
—
degrees
rms
Notes:
1. f = 200 kHz, RF1 = 1.6 GHz, RF2 = 1.2 GHz, IFOUT = 550 MHz, LPWR = 0, for all parameters unless otherwise noted.
2. Extended frequency operation only. VDD 3.0 V, QFN only, VCO Tuning Range fixed by directly shorting the RFLA and
RFLB pins. See Application Note 41 for more details on the Si4133 extended frequency operation.
3. From powerup request (PWDN
or SEN during a write of 1 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to RF and IF
synthesizers ready (settled to within 0.1 ppm frequency error).
4. From powerdown request (PWDN
, or SENduring a write of 0 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to supply current
equal to IPWDN.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4113M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
| GLAA01A | SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT |
| EK64904-11 | KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES |
| GLEB24B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT |
| ZMN2405HPDB-C | ADDITIONAL ZMN2405HP DEVELOPMENT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4123 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
| SI4123-BM | 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4123-D-GM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4123-BMR | 功能描述:射频无线杂项 General Purpose RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4123-BT | 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4123-D-GT FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4123-D-GM | 功能描述:锁相环 - PLL SINGLE BAND RF MLP-28 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 类型:PLL Clock Multiplier 电路数量:1 最大输入频率:710 MHz 最小输入频率:0.002 MHz 输出频率范围:0.002 MHz to 808 MHz 电源电压-最大:3.63 V 电源电压-最小:1.71 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:QFN-36 封装:Tray |
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